МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Э. БАУМАНА
ДЕМОНСТРАЦИОННАЯ ВЕРСИЯ!!!

<<Вернуться

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

   Плазма

   Излучение при термодинамическом равновесии

   Излучение в условиях локального термодинамического равновесии

   Метод относительных интенсивностей

   Рекомендуемая литература

СПРАВОЧНЫЕ СВЕДЕНИЯ

   Cпектральные линии

   Аргон (Ar I)

   Аргон (Ar II)

   Хром(Cr I)

   Железо (Fe I)

   Водород (H I)

   Ртуть (Hg I)

   Расчетные формулы

ОБОРУДОВАНИЕ

   Спектрометр

   Оптическая скамья

   Оптическое разрешение

   CCD-детектор

   Оптическое волокно

   Коллимационная линза

   Лампа AVALight

   Параметры управления спектрометром

ПРОВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТА

   Схема эксперимента

   Знакомство с интерфейсом управления

   Порядок проведения работы

   Практическая часть
 
Метод относительных интенсивностей
Метод относительных интенсивностей
Температуру, характеризующую состояние оптически тонкой плазмы в условиях локального термодинамического равновесия, можно определить, если измерить интенсивность какой - либо из излучаемых плазмой спектральных линий l в абсолютных единицах по формуле:
Jki=N0(gk/g0)Akihnki exp(-Ek/kT), (11)
где величины N0, gk, g0, gi, Aki, h, nki, Ek берутся соответственно для переходов в атоме, ионе или молекуле. Однако точное измерение абсолютных интенсивностей спектральных линий связано с большими экспериментальными трудностями. Кроме того, во многих случаях известны только относительные значения вероятностей переходов. В основу метода измерения температуры плазмы, разработанного Л.С. Орнштейном, положено спектроскопическое определение температуры по измерениям относительных интенсивностей спектральных линий. Это дает возможность избежать измерения абсолютных значений и не требует знания абсолютных величин концентраций атомов или ионов. Суть метода состоит в следующем. Рассматриваются две спектральные линии, возникающие при переходе между возбужденными   уровнями   ki и l m одного сорта частиц (атомов, ионов данной кратности и т. д.). Если заселенности всех этих уровней удовлетворяют распределению Больцмана с одной и той же температурой возбуждения Те, то, записав выражение (11) для обеих линий и комбинируя их, получим отношение в виде :
Jki /Jlm=(Aki/Alm)(gk/gl)(llm/lki) exp[-(Ek-El)/kTe], (12)
где lki и llm - длины волн выбранных спектральных линий. Здесь учтено, что основное состояние для данных частиц одного сорта одно и то же. Измерив относительные интенсивности двух линий, используя формулу (12), можно вычислить электронную температуру.
Оценим точность нахождения температуры. Продифференцировав (12), имеем :
DTe/Te=[kTe/(Ek-El)][D(Jki/Jlm)/(Jki/Jlm)], (13)
откуда видно, что точность нахождения Te тем выше, чем больше разность энергий верхних уровней : Eki- Elm.
Величины Eki и Elm задаются расположением уровней в энергетической схеме данных атома или иона. Желательно подобрать спектральные линии, находящиеся в удобной для измерений   области спектра и имеющие   разность   энергий   верхних уровней:

DElk = El -Ekі 1 эВ.
Кроме того, необходимо выбирать линии с известными величинами вероятностей спонтанных переходов. У линий должна отсутствовать реабсорбция и они не должны принадлежать дублетам.
Чтобы повысить точность и надежность определения температуры Te , на практике обычно проводят подобные измерения не для двух, а для большего числа линий с различными DE и обработку выполняют графически на основе уравнения :
lg(Jki/Jlm)=lg[Akigkllm/(Almgllki)]-5040(Ek-El)/Te. (14)
Введя обозначения : Pki=Akigkhnki/g0 и Plm=Alm=Almglhnlm/g0 , формулу (14) можно представить в виде :
lg(Jki/Jlm)=lg(Pki/Plm)-5040(Ek-El)/Te , (15)
где величина Е выражена в электронвольтах. Линейность полученного графика будет свидетельствовать о справедливости условия (4). Тангенс угла наклона позволяет найти электронную температуру по формуле :
Te=5040(El-Ek)/[lg(Jki/Jlm) + lg(Plm/Pki)] =
=

5040(El-Ek)/[lg(Jki /Jlm)+lg[Almgmlki/(Akigkllm)]]. (16)
При фотоэлектрической регистрации светового потока величина lg(Jki/Jlm) определяется с учётом спектральной чувствительности ФЭУ.
Вместо вероятности спонтанных переходов Aki часто вводят силу осциллятора fik, которая показывает эффективность реальных атомов к поглощению квантов энергии по отношению к классическим осцилляторам.
Используя   связь   силы   осциллятора   fik   с   вероятностью   перехода
fik=(gk/gl)e0mec3Aki/2pe2n2ki , формулу (14) при фотоэлектрической регистрации записывают следующим образом :
lg(Vki/Vlm)=lg[fikgil2lmSlm/(fmlgml2 kiSik)] - 5040(Ek-El)/Te, (17)
где Vki и Vlm, Ski и Slm - напряжения на выходе усилителя постоянного тока в максимуме интенсивности и спектральные чувствительности для длин волн переходов ki и lm соответственно.